|
References 1 G. E. Moore, Proc. IEEE 86, 82 (1998). 2 Gorden E. Moore, Intel Corporation, 1 (2005). 3 International Technology Roadmap of Semiconductor. 4 http://www.phy.cuhk.edu.hk/hkwong/phy3202/materials/index.php. 5 J. A. del Alamo, Nature 479, 317 (2011). 6 S. Takagi and M. Takenaka, in Dielectrics in Nanosystems -and- Graphene, Ge/Iii-V, Nanowires and Emerging Materials for Post-Cmos Applications 3, edited by Z. Karim, P. Srinivasan, S. DeGendt et al. (Electrochemical Soc Inc, Pennington, 2011), Vol. 35, pp. 279. 7 W. E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, and C. V. Su, J. Electrochem. Soc. 127, C391 (1980). 8 C. L. Hinkle, A. M. Sonnet, E. M. Vogel, S. McDonnell, G. J. Hughes, M. Milojevic, B. Lee, F. S. Aguirre-Tostado, K. J. Choi, H. C. Kim, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 92, 071901 (2008). 9 W. Melitz, E. Chagarov, T. Kent, R. Droopad, J. Ahn, R. Long, P. C. McIntyre, A. C. Kummel, and IEEE, Mechanism of Dangling Bond Elimination on As-rich InGaAs Surface. (IEEE, New York, 2012). 10 M. Scarrozza, G. Pourtois, M. Houssa, M. Caymax, A. Stesmans, M. Meuris, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 95, 253504 (2009). 11 J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, R. L. Opila, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, and R. L. Masaitis, Appl. Phys. Lett. 75, 1116 (1999). 12 Y. C. Wang, M. Hong, J. M. Kuo, J. P. Mannaerts, H. S. Tsai, J. Kwo, J. J. Krajewski, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Electron. Lett. 35, 667 (1999). 13 J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, D. W. Murphy, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, Y. C. Wang, and K. C. Hsieh, in Compound Semiconductor Surface Passivation and Novel Device Processing, edited by H. Hasegawa, M. Hong, Z. H. Lu et al. (Materials Research Society, Warrendale, 1999), Vol. 573, pp. 57. 14 Y. C. Wang, M. Hong, J. M. Kuo, J. P. Mannaerts, J. Kwo, H. S. Tsai, J. J. Krajewski, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, IEEE Electron Device Lett. 20, 457 (1999). 15 M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science 283, 1897 (1999). 16 M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, M. C. Wu, T. S. Lay, and A. M. Sergent, in Iii-V and Iv-Iv Materials and Processing Challenges for Highly Integrated Microelectronics and Optoelectronics, edited by S. A. Ringel, E. A. Fitzgerald, I. Adesida et al. (Materials Research Society, Warrendale, 1999), Vol. 535, pp. 151. 17 M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 87, 252104 (2005). 18 P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H. J. L. Gossmann, M. Frei, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, J. Electron. Mater. 33, 912 (2004). 19 P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H. J. L. Gossmann, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. 84, 434 (2004). 20 M. M. Frank, G. D. Wilk, D. Starodub, T. Gustafsson, E. Garfunkel, Y. J. Chabal, J. Grazul, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett. 86, 152904 (2005). 21 C. H. Chang, Y. K. Chiou, Y. C. Chang, K. Y. Lee, T. D. Lin, T. B. Wu, M. Hong, and J. Kwo, Appl. Phys. Lett. 89, 242911 (2006). 22 T. Yang, Y. Xuan, D. Zemlyanov, T. Shen, Y. Q. Wu, J. M. Woodall, P. D. Ye, F. S. Aguirre-Tostado, M. Milojevic, S. McDonnell, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 91, 142122 (2007). 23 T. D. Lin, Y. H. Chang, C. A. Lin, M. L. Huang, W. C. Lee, J. Kwo, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 100, 172110 (2012). 24 Y. H. Chang, C. A. Lin, Y. T. Liu, T. H. Chiang, H. Y. Lin, M. L. Huang, T. D. Lin, T. W. Pi, J. Kwo, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 101, 172104 (2012). 25 Y. Xuan, Y. Q. Wu, T. Shen, T. Yang, P. D. Ye, and Ieee, High performance submicron inversion-type enhancement-mode InGaAs MOSFETs with ALD Al(2)O(3), HfO(2), and HfAlO as gate dielectrics. (Ieee, New York, 2007), pp.637. 26 H. C. Chin, M. Zhu, G. S. Samudra, and Y. C. Yeo, J. Electrochem. Soc. 155, H464 (2008). 27 J. Q. Lin, S. J. Lee, H. J. Oh, G. Q. Lo, D. L. Kwong, and D. Z. Chi, IEEE Electron Device Lett. 29, 977 (2008). 28 S. Koveshnikov, N. Goel, P. Majhi, H. Wen, M. B. Santos, S. Oktyabrsky, V. Tokranov, R. Kambhampati, R. Moore, F. Zhu, J. Lee, and W. Tsai, Appl. Phys. Lett. 92, 222904 (2008). 29 K. Martens, C. O. Chui, G. Brammertz, B. De Jaeger, D. Kuzum, M. Meuris, M. M. Heyns, T. Krishnamohan, K. Saraswat, H. E. Maes, and G. Groeseneken, IEEE Trans. Electron Devices 55, 547 (2008). 30 C. A. Lin, H. C. Lin, T. H. Chiang, R. L. Chu, L. K. Chu, T. D. Lin, Y. C. Chang, W. E. Wang, J. R. Kwo, and M. W. Hong, Appl. Phys. Express 4, 111101 (2011). 31 D. Lin, G. Brammertz, S. Sioncke, C. Fleischmann, A. Delabie, K. Martens, H. Bender, T. Conard, W. H. Tseng, J. C. Lin, W. E. Wang, K. Temst, A. Vantomme, J. Mitard, M. Caymax, M. Meuris, M. Heyns, T. Hoffmann, and Ieee, Enabling the high-performance InGaAs/Ge CMOS: a common gate stack solution. (Ieee, New York, 2009), pp.300. 32 R. Pillarisetty, B. Chu-Kung, S. Corcoran, G. Dewey, J. Kavalieros, H. Kennel, R. Kotlyar, V. Le, D. Lionberger, M. Metz, N. Mukherjee, J. Nah, W. Rachmady, M. Radosavljevic, U. Shah, S. Taft, H. Then, N. Zelick, R. Chau, and Ieee, High Mobility Strained Germanium Quantum Well Field Effect Transistor as the P-Channel Device Option for Low Power (Vcc=0.5 V) III-V CMOS Architecture. (Ieee, New York, 2010). 33 http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Light-Emitting-Diodes-dot-org/chap12/chap12.htm. 34 M. Radosavljevic, T. Ashley, A. Andreev, S. D. Coomber, G. Dewey, M. T. Emeny, M. Fearn, D. G. Hayes, K. P. Hilton, M. K. Hudait, R. Jefferies, T. Martin, R. Pillarisetty, W. Rachmady, T. Rakshit, S. J. Smith, M. J. Uren, D. J. Wallis, P. J. Wilding, R. Chau, and Ieee, High-Performance 40nm Gate Length InSb P-Channel Compressively Strained Quantum Well Field Effect Transistors for Low-Power (V(CC)=0.5V) Logic Applications. (Ieee, New York, 2008), pp.727. 35 Y. J. Wei, A. Gin, M. Razeghi, and G. J. Brown, Appl. Phys. Lett. 81, 3675 (2002). 36 A. Nainani, T. Irisawa, Z. Yuan, Y. Sun, T. Krishnamohan, M. Reason, B. R. Bennett, J. B. Boos, M. G. Ancona, Y. Nishi, and K. C. Saraswat, IEDM Tech. Proceeding, 138 (2010). 37 A. Ali, H. S. Madan, A. P. Kirk, D. A. Zhao, D. A. Mourey, M. K. Hudait, R. M. Wallace, T. N. Jackson, B. R. Bennett, J. B. Boos, and S. Datta, Appl. Phys. Lett. 97, 143502 (2010). 38 C. L. Lin, Y. K. Su, T. S. Se, and W. L. Li, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 37, L1543 (1998). 39 A. Nainani, T. Irisawa, Z. Yuan, B. R. Bennett, J. B. Boos, Y. Nishi, and K. C. Saraswat, Transactions on electron devices 58, 3407 (2011). 40 K. M. Schirm, P. Soukiassian, P. S. Mangat, Z. Hurych, L. Soonckindt, and J. J. Bonnet, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1867 (1992). 41 A. Nainani, Y. Sun, T. Irisawa, Z. Yuan, M. Kobayashi, P. Pianetta, B. R. Bennett, J. B. Boos, and K. C. Saraswat, J. Appl. Phys. 109, 114908 (2011). 42 P. S. Dutta, H. Bhat, and V. Kumar, Journal Applied Physics 81, 5821 (1997). 43 M. V. Lebedev, E. V. Kunitsyna, W. Calvet, T. Mayer, and W. Jaegermann, The Journal of Physical Chemistry C 117, 15996 (2013). 44 M. Xu, R. Wang, and P. D. Ye, Electron Device Letters 32, 883 (2011). 45 C. Merckling, X. Sun, A. Alian, G. Brammertz, V. V. Afanas’ev, T. Y. Hoffmann, M. Heyns, M. Caymax, and J. Dekoster, J. Appl. Phys. 109, 073719 (2011). 46 A. Greene, S. Madisetti, P. Nagaiah, M. Yakimov, V. Tokranov, R. Moore, and S. Oktyabrsky, Solid-State Electronics 78, 56 (2012). 47 L. F. Zhao, Z. Tan, J. Wang, and J. Xu, Appl. Surf. Sci. 289, 601 (2014). 48 E. R. Cleveland, L. B. Ruppalt, B. R. Bennett, and S. M. Prokes, Appl. Surf. Sci. 277, 167 (2013). 49 Z. Y. Liu, B. Hawkins, and T. F. Kuech, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 71 (2003). 50 L. K. Chu, W. C. Lee, M. L. Huang, Y. H. Chang, L. T. Tung, C. C. Chang, Y. J. Lee, J. Kwo, and M. Hong, J. Cryst. Growth 311, 2195 (2009). 51 I. Z. Mitrovic, M. Althobaiti, A. D. Weerakkody, V. R. Dhanak, W. M. Linhart, T. D. Veal, N. Sedghi, S. Hall, P. R. Chalker, D. Tsoutsou, and A. Dimoulas, J. Appl. Phys. 115, 16 (2014). 52 P. Chang, H. C. Chiu, T. D. Lin, M. L. Huang, W. H. Chang, S. Y. Wu, K. H. Wu, M. W. Hong, and J. Kwo, Appl. Phys. Express 4, 114202 (2011). 53 C. A. Lin, H. C. Chiu, T. H. Chiang, T. D. Lin, Y. H. Chang, W. H. Chang, Y. C. Chang, W. E. Wang, J. Dekoster, T. Y. Hoffmann, M. Hong, and J. Kow, Appl. Phys. Lett. 98, 062108 (2011). 54 W. H. Chang, C. H. Lee, Y. C. Chang, P. Chang, M. L. Huang, Y. J. Lee, C. H. Hsu, J. M. Hong, C. C. Tsai, J. R. Kwo, and M. W. Hong, Adv. Mater. 21, 4970 (2009). 55 T. Suntola and J. Antson, Patent No. US 4058430 (1977). 56 T. Suntola and M. Simpson, Atomic Layer Epitaxy. (Blackie and Son, London, 1990). 57 R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 98, 016102 (2005). 58 T. M. Mayer, J. W. Elam, S. M. George, P. G. Kotula, and R. S. Goeke, Appl. Phys. Lett. 82, 2883 (2003). 59 R. Suri, B. Lee, D. J. Lichtenwalner, N. Biswas, and V. Misra, Appl. Phys. Lett. 93, 193504 (2008). 60 P. Majumder, G. Jursich, A. Kueltzo, and C. Takoudis, J. Electrochem. Soc. 155, G152 (2008). 61 T. D. Lin, H. C. Chiu, P. Chang, L. T. Tung, C. P. Chen, M. Hong, J. Kwo, W. Tsai, and Y. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 033516 (2008). 62 J. Kaindl, S. Sotier, and G. Franz, J. Electrochem. Soc. 142, 2418 (1995). 63 S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999). 64 Siegfried Hofmann, Auger- and X-Ray Photoelectron Spectroscopy in Materials Science. (Springer Berlin Heidelberg, 2013). 65 Stefan Hüfner, Photoelectron Spectroscopy: Principles and Applications. ( Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 1995). 66 M. Hong, J. Kwo, T. D. Lin, and M. L. Huang, MRS Bull. 34, 514 (2009). 67 D. K. Schroder, Semiconductor Materials and Device Characterization, 3ed. (Wiley, 2006). 68 E. H. Nicollian and A. Goetzberger, Bell Syst. Tech. J. 46, 1055 (1967). 69 P. V. Gray and D. M. Brown, Appl. Phys. Lett. 8, 31 (1966). 70 D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974). 71 E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS Physics and Technology. (Wiley, 2003). 72 G. Brammertz, K. Martens, S. Sioncke, A. Delabie, M. Caymax, M. Meuris, and M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 91, 133510 (2007). 73 W. Mizubayashu N. Toaka, Y. Morita, S. Migita, H. Ota, and S. Takagi, Jap. J. of Appl. Phys. 49, 04DA09 (2010). 74 Z. Y. Liu, T. F. Kuech, and D. A. Saulys, Appl. Phys. Lett. 83, 2587 (2003). 75 D. E. Eastman, T. C. Chiang, P. Heimann, and F. J. Himpsel, Phys. Rev. Lett. 45, 656 (1980). 76 E. J. Kim, L. Q. Wang, P. M. Asbeck, K. C. Saraswat, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 96, 012906 (2010). 77 W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 37, 4760 (1988). 78 C. B. Zota, S. H. Kim, Y. Asakura, M. Takenaka, and S. Takagi, presented at the Device Research Conference, University Park, TX, 2012 (unpublished). 79 S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998). 80 L. W. Tu, W. C. Kuo, K. H. Lee, P. H. Tsao, C. M. Lai, A. K. Chu, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 77, 3788 (2000). 81 H. C. Lin, G. Brammertz, K. Martens, G. de Valicourt, L. Negre, W. E. Wang, W. Tsai, M. Meuris, and M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 94, 153508 (2009). 82 R. L. Chu, T. D. Lin, L. K. Chu, M. L. Huang, C. C. Chang, M. Hong, C. A. Lin, and J. Kwo, J. Vac. Sci. Technol. B 28, C3A1 (2010). 83 X. Sun, C. Merckling, G. Brammertz, D. Lin, J. Dekoster, S. Cui, and T. P. Ma, J. Appl. Phys. 111, 054102 (2012). 84 Z. Yuan, A. Nainani, B. R. Bennett, J. B. Boos, M. G. Ancona, and K. C. Saraswat, Appl. Phys. Lett. 100, 143503 (2012). 85 M. Yokoyama, Y. Asakura, H. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi, and Ieee, in 2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Ieee, New York, 2013). 86 D. M. Zhernokletov, H. Dong, B. Brennan, M. Yakimov, V. Tokranov, S. Oktyabrsky, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 102, 131602 (2013). 87 P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005). 88 T. D. Lin, H. C. Chiu, P. Chang, Y. H. Chang, Y. D. Wu, M. Hong, and J. Kwo, Solid-State Electronics 54, 919 (2010). 89 Y. H. Chang, M. L. Huang, P. Chang, J. Y. Shen, B. R. Chen, C. L. Hsu, T. W. Pi, M. Hong, and J. Kwo, Microelectron. Eng. 88, 1101 (2011). 90 Y. C. Chang, C. Merckling, J. Penaud, C. Y. Lu, W. E. Wang, J. Dekoster, M. Meuris, M. Caymax, M. Heyns, J. Kwo, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 97, 112901 (2010). 91 Y. Yuan, L. Q. Wang, B. Yu, B. H. Shin, J. Ahn, P. C. McIntyre, P. M. Asbeck, M. J. W. Rodwell, and Y. Taur, IEEE Electron Device Lett. 32, 485 (2011). 92 D. Shamiryan, M. Baklanov, M. Claes, W. Boullart, and V. Paraschiv, Chem. Eng. Commun. 196, 1475 (2009). 93 M. Yokoyama, K. Nishi, S. Kim, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 104, 093509 (2014). 94 L. S. Wu, B. Sun, H. D. Chang, W. Zhao, B. Q. Xue, X. Zhang, and H. G. Liu, Chin. Phys. Letters 29, 127303 (2012). 95 D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization. (Wiley, New York, 2005). 96 Z. Yuan, A. Kumar, C. Y. Chen, A. Nainani, B. R. Bennett, J. B. Boos, and K. C. Saraswat, IEEE Electron Device Lett. 34, 1367 (2013).
|